Dispositif de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal du semi-conducteur FDBL86066-F085 de Fairchild
Number modèle:FDBL86066-F085
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Détails du produit
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Détails du produit
Semi-conducteur FDBL 86066 de Fairchild - dispositifde l'électronique de puissance de transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal de F085
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 69 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3240 PF @ 50 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 300W (ventres) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-HPSOF | |
Paquet/cas |
Liste de produit :
Nom de produit : FDBL86066-F085
Fabricant : SUR le semi-conducteur
Type de produit : L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Max Continuous Drain Current : 8.5A
Max Drain Source Voltage : 60V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification : 2.2mOhm @ 10A
Paquet/cas : 8-DFLA
Montage du type : Par le trou
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