L'électronique de puissance de transistor MOSFET FDBL9406-F085T6 – dispositif de changement capable à forte intensité de Haut-fiabilité performante
Number modèle:FDBL9406-F085T6
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Détails du produit
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Détails du produit
L'électronique de puissance de transistor MOSFET FDBL9406-F085T6 –
dispositif de changement capable forte intensité de Haut-fiabilité
performante
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1.21mOhm @ 50A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3.5V @ 190µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 75 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | +20V, -16V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 4960 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 4.3W (merci), 136.4W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-HPSOF | |
Paquet/cas |
Liste de produit :
SUR le transistor MOSFET de puissance du semi-conducteur FDBL9406-F085T6
• Conception robuste et basse Sur-résistance
• la température de jonction 175°C
• Basse charge de porte
• Technologie rocailleuse d'avalanche
• Commutation rapide
• 100% examiné pour la tension de seuil de porte
• 100% examiné pour la Sur-résistance
• RoHS conforme
• Halogène libre
• 200V a évalué la tension claque de Drain-source
• Basse impédance de porte
• Diode rapide de corps
• L'ESD s'est protégé
• Basse capacité de sortie
• Double N-canal
• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
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• SKL est un gardien courant et une société commerciale des composants électroniques. Notre succursale incluent la Chine, Hong Kong, Sigapore, Canada. Affaires, service, recrutement et information d'offre pour notre membre global.
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