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Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 140mOhm @ 9A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 26 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1180 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 41W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220F-3 | |
Paquet/cas |
L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDPF18N20FT de SUR le semi-conducteur
Description de produit :
Le FDPF18N20FT est un ultra-rapide, transistor MOSFET de puissance de SUR semi-conducteur. Il est conçu pour fournir l'excellente représentation dans un large éventail d'applications, y compris la conversion haute fréquence de commutation et de puissance. Le dispositif comporte une structure intégrée de transistor MOSFET de PowerTrench et une technologie du conditionnement avancée.
Caractéristiques :
• Basse sur-résistance
• Commutation grande vitesse
• Excellente représentation thermique
• Protection robuste d'ESD
• sans Pb et RoHS conformes
Caractéristiques :
• Tension de Drain-source : 20V
• Sur-résistance de Drain-source : 0.39Ω
• Charge de porte : 17nC
• Tension de coupure de Drain-source : 0.35V
• Tension de Porte-source : 5.5V
• Courant maximum de drain : 25A
• Dissipation de puissance maximum : 200W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C 175°C