Commutation ultra-rapide de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDT86244 et conversion de haute puissance
Number modèle:FDT86244
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Détails du produit
Commutation ultra-rapide de l'électronique de puissance du
transistor MOSFET FDT86244 et conversion de haute puissance
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 128mOhm @ 2.8A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 7 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 395 PF @ 75 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.2W (ventres) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-223-4 | |
Paquet/cas |
Liste de produit :
SUR l'électronique de puissance de transistor MOSFET du semi-conducteur FDT86244
Description :
SUR le semi-conducteur FDT86244 est un dispositif haute efficacité et de basse puissance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET conçu pour fournir la représentation supérieure dans un large éventail d'applications. Il offre une fréquence de changement ultra-rapide avec la basse charge de porte et la basse sur-résistance. Il convient aux applications de haute puissance telles que le contrôle de moteur, la conversion de DC-DC, et la gestion de puissance.
Caractéristiques :
• Basse sur-résistance : 0.086mΩ typique
• Commutation ultra-rapide : 4.5V/ns typique
• Basse charge de porte : 7nC typique
• Gamme de température de fonctionnement : -55°C 175°C
• Tension maximum de drain-source : 100V
• Courant maximum de drain : 100A
• Paquet : TO-220, TO-220F, TO-247, TO-247AD, TO-252, et D2PAK
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