L'avalanche de la force 1,05 Ω d'énergie de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FQT5P10TF PackageTO-261-4 a examiné

Caractéristiques

• -1,0 A, -100 V, le RDS (dessus) =1.05 Ω (maximum) @VGS=-10 V, ID=-0.5 A

• Basse charge de porte (type. 6,3 OR)

• Bas Crss (type. 18 PF)

• L'avalanche 100% a examiné

description :

Ce transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de p-canal est produit utilisant la technologie planaire de propriété industrielle de la rayure et des dmos des semiconductor® de Fairchild. cette technologie avancée de transistor MOSFET a été particulièrement travaillée pour réduire la résistance de sur-état, et pour fournir la représentation de changement supérieure et la haute résistance d'énergie d'avalanche. ces dispositifs conviennent aux alimentations d'énergie commutées de mode, l'amplificateur audio, au contrôle de moteur de C.C, et l'application de changement variable de puissance

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