Transistor MOSFET NTMFS4C025NT1G de puissance pour des applications performantes de conversion de commutation et de puissance
Number modèle:NTMFS4C025NT1G
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Détails du produit
Transistor MOSFET NTMFS 4C025NTde puissance1G pour des applications performantes de conversion de commutation et de puissance
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 3.41mOhm @ 30A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.1V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 26 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1683 PF @ 15 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.55W (merci), 30.5W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquet/cas |
Liste de produit :
Nom de produit : NTMFS4C025NT1G
Fabricant : SUR le semi-conducteur
Type de produit : L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Paramètres :
• Tension de Drain-source (Vdss) : 25V
• Tension de Porte-source (Vgs) : 20V
• Vidangez le courant (identification) : 4A
• Sur-résistance statique de Drain-source (le RDS) : 0.0055ohm
• Dissipation de puissance (palladium) : 2.25W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C +150°C
• Support : SMD/SMT
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