FDD3672 - Transistor de transistor MOSFET de puissance élevée pour des applications avancées de l'électronique de puissance
Number modèle:FDD3672
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FDD3672 - Transistor de transistor MOSFET de puissance élevée pour des applications avancées de l'électronique de puissance
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 28mOhm @ 44A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 36 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1710 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 135W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252AA | |
Paquet/cas |
Liste de produit :
SUR le semi-conducteur FDD3672 - transistor MOSFET de puissance de N-canal
Le FDD3672 est un transistor MOSFET de puissance de N-canal construit par SUR le semi-conducteur. Il offre l'excellente dissipation de puissance, la basse charge de porte et la vitesse de changement rapide.
Caractéristiques :
• tension claque de la drain-source 100V
• Courant continu maximum de drain de 10.2A
• Basse charge de porte : Qg = 16nC typique
• Résistance maximum de sur-état de drain-source de 0.48Ω
• Énergie interne d'avalanche évaluée EAS = 7.3mJ
• La température de jonction fonctionnante maximum de 175°C
• Charge moyenne de porte : Qg = 16nC typique
• Vitesse de changement rapide : le TD (dessus) = 10ns typique
• Paquet sans plomb et RoHS-conforme
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• SKL est un gardien courant et une société commerciale des composants électroniques. Notre succursale incluent la Chine, Hong Kong, Sigapore, Canada. Affaires, service, recrutement et information d'offre pour notre membre global.
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• Nous essayerons de répondre aussi rapidement que possible. Mais en raison de la différence de fuseau horaire, accordez svp jusqu' 24 heures pour obtenir votre courrier répondu. Les produits ont été examinés par quelques dispositifs ou logiciel, nous nous assurons qu'il n'y a aucun problème de qualité.
• Nous sommes commis au service rapide, commode et sûr de fourniture de transport l'acheteur global.
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FDD3672 - Transistor de transistor MOSFET de puissance élevée pour des applications avancées de l'électronique de puissance
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