Ordinateurs portables de PowerTrench®in de P-canal de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
Number modèle:FDS6675BZ
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Ordinateurs portables de PowerTrench®in de P-canal de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 62 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±25V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 2470 PF @ 15 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.5W (ventres) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SOIC | |
Paquet/cas |
Description générale
Ce transistor MOSFET de P-canal est utilisation producted SUR le
processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur qui a
particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de
sur-état.
Ce dispositif est bien adapté pour la gestion de puissance et les
applications de changement de charge communes dans des ordinateurs
portables
et paquets portatifs de batterie.
Caractéristiques
Le RDS maximum (dessus) = 13mΩ VGS = -10V, identification = -11A
Le RDS maximum (dessus) = 21.8mΩ VGS = -4.5V, identification = -9A
Gamme prolongée de VGS (- 25V) pour des applications de batterie
Niveau de protection de HBM ESD de 5,4 kilovolts de typique (note
3)
Hnology technique de fossé de haute performance pour extrêmement -
le bas RDS (dessus)
Puissance élevée et capacité de remise actuelle
RoHS conforme
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Ordinateurs portables de PowerTrench®in de P-canal de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDS6675BZ 8-SOIC
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