FDD86250-F085 Électronique de puissance MOSFET TO-252-3 Package N-Channel Sheilded Gate PowerTrench Distributed Architectures

Number modèle:FDD86250-F085
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Électronique de puissance MOSFET FDD86250-F085

TO-252-3 Package N-Channel Sheilded Gate PowerTrench Distributed Architectures


Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhms 20 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF 75 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
160W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-252AA
Paquet/caisse

Caractéristiques


„ RDS(on) typique = 19,4 mΩ VGS = 10 V, ID = 20 A
„ Typique Qg(tot) = 28 nC VGS = 10V, ID = 40 A
„ Capacité de l'ISU
„ Conforme RoHS
„ Qualifié AEC Q101


Applications


„ Contrôle moteur automobile
„ Gestion du groupe motopropulseur
„ Pilotes de solénoïde et de moteur
„ Démarreur/Alternateur Intégré
„ Architectures d'alimentation distribuée et VRM
„ Interrupteur primaire pour systèmes 12V


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