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Électronique de puissance MOSFET FDD86250-F085
TO-252-3 Package N-Channel Sheilded Gate PowerTrench Distributed Architectures
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhms 20 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF 75 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 160W (Tj) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252AA | |
Paquet/caisse |
Caractéristiques
„ RDS(on) typique = 19,4 mΩ VGS = 10 V, ID = 20 A
„ Typique Qg(tot) = 28 nC VGS = 10V, ID = 40 A
„ Capacité de l'ISU
„ Conforme RoHS
„ Qualifié AEC Q101
Applications
„ Contrôle moteur automobile
„ Gestion du groupe motopropulseur
„ Pilotes de solénoïde et de moteur
„ Démarreur/Alternateur Intégré
„ Architectures d'alimentation distribuée et VRM
„ Interrupteur primaire pour systèmes 12V
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