FDP18N50 MOSFET Électronique de puissance N-Channel UniFETTM Package Applications de convertisseur de puissance à découpage TO-220

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FDP18N50 MOSFET Électronique de puissance Canal N UniFETTMColis TO-220applications de convertisseur de puissance découpage

PowerTrench canal N

QFET canal P® MOSFET

-60 V, -12 UN, 135
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
265 mOhms 9 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC 10 V
Vg (Max)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
235W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-220-3
Paquet/caisse

Caractéristiques
• RDS(on) = 220 mΩ (Typ.) @ V GS = 10 V, ID = 9 A
• Faible charge de grille (Typ. 45 nC)
• Faible C rss (Typ. 25 pF)
• 100 % testé contre les avalanches


Applications
• Téléviseur LCD/LED/PDP
• Éclairage
• Alimentation sans interruption


Description
Le MOSFET UniFET TM est la famille de MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor basée sur la bande planaire et la technologie DMOS.
Ce MOSFET est conçu pour réduire la résistance l'état passant et pour fournir de meilleures performances de commutation et une force d'énergie d'avalanche plus élevée.Cette famille d'appareils convient aux applications de convertisseurs de puissance découpage telles que la correction du facteur de puissance (PFC), l'alimentation des téléviseurs écran plat (FPD), l'ATX et les ballasts de lampes électroniques.



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