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FDP18N50 MOSFET Électronique de puissance Canal N UniFETTMColis TO-220applications de convertisseur de puissance découpage
PowerTrench canal N
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265 mOhms 9 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2860 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 235W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220-3 | |
Paquet/caisse |
Caractéristiques
• RDS(on) = 220 mΩ (Typ.) @ V GS = 10 V, ID = 9 A
• Faible charge de grille (Typ. 45 nC)
• Faible C rss (Typ. 25 pF)
• 100 % testé contre les avalanches
Applications
• Téléviseur LCD/LED/PDP
• Éclairage
• Alimentation sans interruption
Description
Le MOSFET UniFET TM est la famille de MOSFET haute tension de
Fairchild Semiconductor basée sur la bande planaire et la
technologie DMOS.
Ce MOSFET est conçu pour réduire la résistance l'état passant et
pour fournir de meilleures performances de commutation et une force
d'énergie d'avalanche plus élevée.Cette famille d'appareils
convient aux applications de convertisseurs de puissance découpage
telles que la correction du facteur de puissance (PFC),
l'alimentation des téléviseurs écran plat (FPD), l'ATX et les
ballasts de lampes électroniques.