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PowerTrench canal N
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhms 22 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4,5 V 4,4 mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3090 pF 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 312W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263) | |
Paquet/caisse |
Description
Le MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle famille de MOSFET
super−jonction (SJ) haute tension d'ON Semiconductor qui utilise la
technologie d'équilibrage de charge pour une résistance
exceptionnelle l'état passant et des performances de charge de
grille inférieures.Cette technologie avancée est conçue pour
minimiser la perte de conduction, fournir des performances de
commutation supérieures et
résister un taux dv/dt extrême.Par conséquent, le MOSFET SUPERFET
III est très approprié pour diverses conversions de puissance AC/DC
pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.
Caractéristiques
• 700 V @ TJ = 150 °C
• RDS (activé) = 62 m (typ.)
• Charge de grille ultra faible (Typ. Qg = 78 nC)
• Faible capacité de sortie effective (Typ. Coss(eff.) =
715 pF)
• 100 % testé contre les avalanches
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes RoHS
Applications
• Alimentations télécoms/serveurs
• Alimentations industrielles
• ASI/Solaire