NVS4409NT1G Électronique de puissance MOSFET Boîtier SC-70-3 Canal N simple Petit signal Protection ESD 25 V 0,75 A

Number modèle:NVS4409NT1G
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Alimentation MOSFET NVS4409NT1G

Électronique SC-70-3 Boîtier Protection ESD petit signal canal N unique 25 V 0,75 A


Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhms 600 mA, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1,5 V 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,5 nC 4,5 V
Vg (Max)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
280mW (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
SC-70-3 (SOT323)
Paquet/caisse

Caractéristiques


• Technologie planaire avancée pour une commutation rapide, faible RDS (activé)
• Efficacité supérieure prolongeant la durée de vie de la batterie
• Certifié AEC−Q101 et compatible PPAP − NVS4409N
• Ces appareils sont sans Pb et sont des applications conformes RoHS
• Convertisseur Boost et Buck
• Commutateur de charge
• Protection de la batterie


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NVS4409NT1G Électronique de puissance MOSFET Boîtier SC-70-3 Canal N simple Petit signal Protection ESD 25 V 0,75 A

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