Ballasts électroniques de lampe de force de haute énergie de N-canal de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FQT4N20LTF SOT-223-4
Number modèle:FQT4N20LTF
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FQT4N20LTF
Ballasts électroniques de lampe de force de haute énergie de N-canal du paquet SOT-223-4
ET type | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 5,2 OR @ 5 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 310 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.2W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-223-4 | |
Paquet/cas |
Ce transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de N-canal est produit utilisant la rayure planaire de propriété industrielle de Fairchild Semiconductor® et la technologie de DMOS. Cette technologie avancée de transistor MOSFET a été particulièrement travaillée pour réduire la résistance de sur-état, et pour fournir la représentation de changement supérieure et la haute résistance d'énergie d'avalanche. Ces dispositifs conviennent aux alimentations d'énergie commutées de mode, la compensation de phase active (PFC), et aux ballasts électroniques de lampe.
Caractéristiques
• 0,85 A, 200 V, Ω =1.35 du RDS (dessus) (type.) @VGS=10 V,
ID=0.425 A
• Basse charge de porte (type. 4 OR) • Bas Crss (type. 6 PF)
• Transistor MOSFET 200 V, 0,85 A, de ® du N-canal examiné par avalanche 100% QFET description 1,40 de Ω
• Commande de bas niveau Requirments de porte permettant l'opération directe des commandes de logique.
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