Éventail du P-canal 2.5V de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDS6375 8-SOIC de tension d'entraînement de porte
Number modèle:FDS6375
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Éventail du P-canal 2.5V de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDS6375 8-SOIC de tension d'entraînement de porte
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 24mOhm @ 8A, 4.5V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 36 OR @ 4,5 V | |
Vgs (maximum) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 2694 PF @ 10 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.5W (ventres) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SOIC | |
Paquet/cas |
Description générale
Ce P-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET est une version
rocailleuse de porte du processus avancé de PowerTrench du
semi-conducteur de Fairchild. Il a été optimisé pour des
applications de gestion de puissance avec un large éventail de
tension d'entraînement de porte (2.5V – 8V).
Applications
· Gestion de puissance
· Commutateur de charge
· Protection de batterie
Caractéristiques
· – 8 A, – 20 V. le RDS (DESSUS) = 24 mW @ VGS = – 4,5 V le RDS (DESSUS) = 32 mW @ VGS = – 2,5 V
· Basse charge de porte (26 OR typiques)
· Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)
· forte intensité et puissance manipulant la capacité
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