L'électronique de puissance du transistor MOSFET FDS4685 8-SOIC empaquettent des applications de gestion de puissance du P-canal 40V
Number modèle:FDS4685
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Détails du produit
L'électronique de puissance du transistor MOSFET FDS4685 8-SOIC empaquettent des applications de gestion de puissance du P-canal 40V
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 27mOhm @ 8.2A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 27 OR @ 5 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1872 PF @ 20 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.5W (ventres) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SOIC | |
Paquet/cas |
Caractéristiques
■– 8,2 A, – 40 V le RDS (DESSUS) = 0,027 Ω @ VGS = – 10 V le RDS
(DESSUS) = 0,035 Ω @ VGS = – 4,5 V
■Vitesse de changement rapide
■Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le
bas RDS (DESSUS)
■Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
Applications
■Gestion de puissance
■Commutateur de charge
■Protection de batterie
Description générale
Ce transistor MOSFET de P-canal est une version rocailleuse de
porte de SUR le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur.
Il a été
optimisé pour des applications de gestion de puissance exigeant un
large éventail d'estimations de tension d'entraînement de porte
(4.5V – 20V).
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