Porte protégée parcanal 100V 20A 24m de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDMC86102 Power33

Number modèle:FDMC86102
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Porte protégée parcanal 100V 20A 24m de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDMC86102 Power33

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
18 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
965 PF @ 50 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
2.3W (merci), 41W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
Power33
Paquet/cas

 

 

 

Description générale

 

 

Ce transistor MOSFET de N−Channel est produit utilisant le processus avancé du POWERTRENCH des onsemi qui incorpore la technologie protégée de porte. Ce processus a été optimisé pour la résistance d'on−state mais maintenir la représentation de changement supérieure.

 

 


Caractéristiques

 

• Technologie protégée de transistor MOSFET de porte
• Le RDS maximum (dessus) = 24 m VGS = 10 V, identification = 7A
• Le RDS maximum (dessus) = 38 m VGS = 6 V, identification = 5 A
• − de profil bas 1 millimètre de maximum dans la puissance 33
• 100% UIL examiné
• Ce dispositif est Pb−Free, libre haloïde et est RoHS conforme

 

 

Applications


• Conversion de DC−DC

 

 

 

 

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