Porte protégée parcanal 100V 20A 24m de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDMC86102 Power33
Number modèle:FDMC86102
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Détails du produit
Porte protégée parcanal 100V 20A 24m de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDMC86102 Power33
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 18 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 965 PF @ 50 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.3W (merci), 41W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | Power33 | |
Paquet/cas |
Description générale
Ce transistor MOSFET de N−Channel est produit utilisant le processus avancé du POWERTRENCH des onsemi qui incorpore la technologie protégée de porte. Ce processus a été optimisé pour la résistance d'on−state mais maintenir la représentation de changement supérieure.
Caractéristiques
• Technologie protégée de transistor MOSFET de porte
• Le RDS maximum (dessus) = 24 m VGS = 10 V, identification = 7A
• Le RDS maximum (dessus) = 38 m VGS = 6 V, identification = 5 A
• − de profil bas 1 millimètre de maximum dans la puissance 33
• 100% UIL examiné
• Ce dispositif est Pb−Free, libre haloïde et est RoHS conforme
Applications
• Conversion de DC−DC
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Porte protégée parcanal 100V 20A 24m de paquet de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDMC86102 Power33
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