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2N7002H6327XTSA2 MOSFET Electronique de puissance N-channel OptiMOS™ Small-Signal-Transistor Package SOT23
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohms 500mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,5 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0,6 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 500mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-SOT23 | |
Paquet/caisse |
Caractéristiques
• Canal N
• Mode d'amélioration
• Niveau logique
• Classé avalanche
• commutation rapide
• Placage au plomb sans plomb ;Conforme RoHS
• Sans halogène selon IEC61249-2-21