BSS306NH6327XTSA1 Électronique de puissance MOSFET OptiMOS™2 Petit transistor à signal N-Canal Package SOT-23

Number modèle:BSS306NH6327XTSA1
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BSS306NH6327XTSA1 Électronique de puissance MOSFET OptiMOS™2 Petit transistor signal N-Canal Package SOT-23


Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57 mOhms 2,3 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V 11µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,5 nC 5 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
275 pF 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
PG-SOT23
Paquet/caisse

Caractéristiques
• Canal N
• Mode d'amélioration
• Niveau logique (évalué 4,5 V)
• Classé avalanche
• Qualifié selon AEC Q101
• 100 % sans plomb ;Conforme RoHS
• Sans halogène selon IEC61249-2-21


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