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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Électronique de puissance N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60VEmballerPG-TSDSON-8 FL
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9,9 mOhms 20 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,3 V 14 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3,1 nC 4,5 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF 30 V | |
Fonction FET | Standard | |
Dissipation de puissance (maximale) | 36W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL | |
Paquet/caisse |
Caractéristiques
• Optimisé pour les SMPS hautes performances, par exemple sync.rec.
• Testé 100 % contre les avalanches
• Résistance thermique supérieure
• Canal N
• Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
• Placage sans plomb ; conforme RoHS
•Sans halogèneselonIEC61249-2-21