BSZ099N06LS5ATMA1 Électronique de puissance MOSFET N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Package PG-TSDSON-8 FL

Number modèle:BSZ099N06LS5ATMA1
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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Électronique de puissance N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60VEmballerPG-TSDSON-8 FL


Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9,9 mOhms 20 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,3 V 14 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3,1 nC 4,5 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF 30 V
Fonction FET
Standard
Dissipation de puissance (maximale)
36W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
PG-TSDSON-8-FL
Paquet/caisse

Caractéristiques
• Optimisé pour les SMPS hautes performances, par exemple sync.rec.
• Testé 100 % contre les avalanches
• Résistance thermique supérieure
• Canal N
• Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
• Placage sans plomb ; conforme RoHS
•Sans halogèneselonIEC61249-2-21


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