IRF7769L1TRPBF MOSFET Electronique de Puissance DirectFET Package N-Channel Idéal pour Convertisseur Isolé Haute Performance
Number modèle:IRF7769L1TRPBF
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Détails du produit
Électronique de puissance MOSFET IRF7769L1TRPBF
Package DirectFET canal N idéal pour convertisseur isolé haute performance
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3,5 mOhms 74 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11560 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 3,3 W (Ta), 125 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | DirectFET™ isométrique L8 | |
Paquet/caisse |
Applications
Conformité RoHS, sans halogène
Sans Plomb (Qualifié jusqu' 260°C Refusion)
Idéal pour la prise de commutateur primaire de convertisseur
isolé haute performance
Optimisé pour la rectification synchrone
Faibles pertes de conduction
Immunité Cdv/dt élevée
Profil bas (<0,7 mm)
Compatible avec le refroidissement double face
Compatible avec les techniques de montage en surface existantes
Industriel Qualifié
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IRF7769L1TRPBF MOSFET Electronique de Puissance DirectFET Package N-Channel Idéal pour Convertisseur Isolé Haute Performance
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