IRF7401TRPBF Électronique de puissance MOSFET Canal N 20V Génération V Technologie Package 8-SOIC

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IRF7401TRPBF Électronique de puissance MOSFET N-Canal 20V Generation V Technology Package 8-SOIC


Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhms 4,1 A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
700 mV 250 µA (min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC 4,5 V
Vg (Max)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-SO
Paquet/caisse

Technologie de génération V
Ultra faible résistance l'allumage
N-ChannelMosfet
Montage en surface
Disponible en bande et bobine
Notation dv/dt dynamiqueCommutation rapide
Sans plomb


Description:
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir la résistance l'état passant la plus faible possible par zone de silicium.Cet avantage, combiné la vitesse de commutation rapide et la conception de dispositif robuste pour laquelle les PowerMOSFET HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le SO 8 a été modifié grce une grille de connexion personnalisée pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité de matrice multiple, ce qui le rend idéal dans une variété d'applications de puissance.Grce ces améliorations, plusieurs périphériques peuvent être utilisés dans une application avec un espace carte considérablement réduit.Le boîtier est conçu pour les techniques de soudage en phase vapeur, infrarouge ou la vague. Une dissipation de puissance supérieure 0,8 V est possible dans une application typique de montage sur circuit imprimé.


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