Paquet simple SOT-23-3 de bâti de surface du N-canal 30 V de transistors MOSFET de FETs de l'électronique de puissance du transistor MOSFET AO3418
Number modèle:AO3418
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Détails du produit
L'électronique de puissance du transistor MOSFET AO3418
Paquet simple SOT-23-3 de bti de surface du N-canal 30 V de transistors MOSFET de FETs
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 60mOhm @ 3.8A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.8V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 3,2 OR @ 4,5 V | |
Vgs (maximum) | ±12V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 270 PF @ 15 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 1.4W (ventres) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23-3 | |
Paquet/cas |
Description générale
L'AO3418 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS), la basses charge de porte et opération des tensions de gat aussi basses comme 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM.
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