AONS66920 Électronique de puissance MOSFET canal N 100 V 17,5 A AlphaSGT TM boîtier haute vitesse 8-DFN
Number modèle:AONS66920
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Détails du produit
Électronique de puissance MOSFET AONS66920
Canal N 100 V 17,5 A AlphaSGT TM Ensemble haute vitesse 8-DFN
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8,2 mOhms 20 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,5 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 5W (Ta), 56.5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
Description générale
• Technologie Trench Power AlphaSGTMC
• Faible RDS (ON)
• Conduite de niveau logique
• Excellent produit QG x RDS(ON) (FOM)
• Processus optimisé Skipe
• Conformité RoHS et sans halogène
Applications
• Commutation haute fréquence et redressement synchrone
Informations sur le produit
- VDS 100V
- ID ( VGS=10V) 48A
- RDS(ON) ( VGS=10V) < 8.2mΩ
- RDS(ON) ( VGS=4.5V) < 10.7mΩ
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AONS66920 Électronique de puissance MOSFET canal N 100 V 17,5 A AlphaSGT TM boîtier haute vitesse 8-DFN
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