AOD508 MOSFET électronique de puissance semi-conducteur discret canal N 30V 50W boîtier de montage en Surface TO-252
Number modèle:AOD508
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Détails du produit
Électronique de puissance MOSFET AOD508
Ensemble de montage en surface semi-conducteur discret N-Channel 30V 50W TO-252
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhms @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,2 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252 (DPAK) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
Description générale
• Dernière technologie Trench Power MOSFET 30 V
• RDS très faible (activé) 10 VGS
• Faible charge l'entrée
• Capacité de courant élevé
• Conformité RoHS et sans halogène
Applications
• Convertisseurs CC/CC en informatique
• Convertisseurs CC/CC isolés dans les télécommunications et l'industrie
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AOD508 MOSFET électronique de puissance semi-conducteur discret canal N 30V 50W boîtier de montage en Surface TO-252
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