Les transistors MOSFET simples de FETs de bâti extérieur du N-canal 30V de l'électronique de puissance du transistor MOSFET AON7406 empaquettent 8-DFN-EP
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L'électronique de puissance du transistor MOSFET AON7406
Les transistors MOSFET simples de FETs de bti extérieur du N-canal 30V empaquettent 8-DFN-EP
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 18 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 888 PF @ 15 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 3.1W (merci), 15.5W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-DFN-EP (3x3) | |
Paquet/cas | ||
Nombre bas de produit |
Description générale
• L'AON7406 emploie la technologie et la conception avancées de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) la basse charge de porte. Ce dispositif convient pour l'usage dans SMPS et applications d'usage universel.
• RoHS et conforme sans halogène
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