Paquet TO-263 de convertisseurs de C.C à C.A. de C.C de C.C du N-canal 40V de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IRL40SC209

Number modèle:IRL40SC209
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Paquet TO-263 de convertisseurs de C.C C.A. de C.C de C.C du N-canal 40V de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IRL40SC209

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
0.8mOhm @ 100A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
267 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
15270 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
375W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
D2PAK (7-Lead)
Paquet/cas

 

Application :
le  a balayé des applications d'entraînement de moteur
applications d'entraînement de moteur du  BLDC
la batterie de  a actionné des circuits
Moitié-pont de  et topologies de plein-pont
applications synchrones de redresseur de 
alimentations d'énergie résonnantes de mode de 
joint circulaire de  et commutateurs électriques superflus
 DC/DC et convertisseurs d'AC/DC
inverseurs du  DC/AC

 

Avantages :
le  a optimisé pour la commande de niveau de logique
porte améliorée par , avalanche et rugosité dynamique de dV/dt
le  a entièrement caractérisé la capacité et l'avalanche SOA
diode dV/dt de corps augmentée par  et capacité de dI/dt
 sans plomb *
 RoHS conforme, sans halogène

 

 

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