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Paquet TO-263 de convertisseurs de C.C C.A. de C.C de C.C du N-canal 40V de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IRL40SC209
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 0.8mOhm @ 100A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 267 OR @ 4,5 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 15270 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 375W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | D2PAK (7-Lead) | |
Paquet/cas |
Application :
le a balayé des applications d'entraînement de moteur
applications d'entraînement de moteur du BLDC
la batterie de a actionné des circuits
Moitié-pont de et topologies de plein-pont
applications synchrones de redresseur de
alimentations d'énergie résonnantes de mode de
joint circulaire de et commutateurs électriques superflus
DC/DC et convertisseurs d'AC/DC
inverseurs du DC/AC
Avantages :
le a optimisé pour la commande de niveau de logique
porte améliorée par , avalanche et rugosité dynamique de dV/dt
le a entièrement caractérisé la capacité et l'avalanche SOA
diode dV/dt de corps augmentée par et capacité de dI/dt
sans plomb *
RoHS conforme, sans halogène