Paquet TO-252 de décollement de dV de diode de corps augmenté parcanal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFR3607TRPBF et de décollement de Di
Number modèle:IRFR3607TRPBF
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Paquet TO-252 de décollement de dV de diode de corps augmenté parcanal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFR3607TRPBF et de décollement de Di
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 9mOhm @ 46A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 100µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 84 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3070 PF @ 50 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 140W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | D-PAK | |
Paquet/cas |
Applications
? Rectification synchrone de rendement élevé dans SMPS
? Alimentation d'énergie non interruptible
? Commutation grande vitesse de puissance
? Avantages dur commutés et haute fréquence de circuits
? Porte améliorée, avalanche et rugosité dynamique de dv/dt
? Capacité entièrement caractérisée et avalanche SOA
? Diode augmentée dV/dt et dI/dt de corps
• Protection de batteriePourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans
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• SKL est un gardien courant et une société commerciale des composants électroniques. Notre succursale incluent la Chine, Hong Kong, Sigapore, Canada. Affaires, service, recrutement et information d'offre pour notre membre global.
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• Nous sommes commis au service rapide, commode et sûr de fourniture de transport l'acheteur global.
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