NTD2955T4G MOSFET Électronique de puissance Canal P DPAK -60 V -12 A NVD SVD Automobile

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PowerTrench canal N

QFET canal P® MOSFET NTD2955T4G MOSFET Électronique de puissance Canal P DPAK -60 V -12 A NVD SVD Automobile

-60 V, -12 UN, 135
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhms 6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
55W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
DPAK
Paquet/caisse

Ce MOSFET de puissance est conçu pour résister une énergie élevée dans les modes d'avalanche et de commutation.Conçu pour les applications de commutation basse tension et haute vitesse dans les alimentations, les convertisseurs et les commandes de moteurs de puissance.Ces dispositifs sont particulièrement bien adaptés aux circuits en pont où la vitesse des diodes et les zones de fonctionnement sûres de commutation sont critiques et offrent une marge de sécurité supplémentaire contre les imprévus.
transitoires de tension.


Caractéristiques
• Énergie d'avalanche spécifiée
• IDSS et VDS(on) spécifiés température élevée
• Conçu pour les applications de commutation basse tension et grande vitesse et pour résister une énergie élevée dans les modes d'avalanche et de commutation
• Préfixe NVD et SVD pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences de changement de site et de contrôle uniques ;
Certifié AEC−Q101 et compatible PPAP
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes RoHS


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