FDMC6679AZ Électronique de puissance MOSFET à double canal en mode d'amélioration du canal N pour les applications à haut rendement

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Détails du produit
FDMC6679AZ Électronique de puissance MOSFET double canal en mode d'amélioration du canal N pour les applications haut rendement

Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhms 11,5 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC 10 V
Vg (Max)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3970 pF 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
2,3 W (Ta), 41 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
8-MLP (3.3x3.3)
Paquet/caisse

Liste de produits :

Nom du produit : MOSFET de puissance canal N FDMC6679AZ d'ON Semiconductor

Description du produit : Le MOSFET de puissance canal N FDMC6679AZ d'ON Semiconductor est un dispositif haute vitesse basse tension entièrement déchargé conçu pour fournir des performances, une fiabilité et une faible consommation d'énergie supérieures dans une large gamme d'applications.


Caractéristiques du produit:
• Canal N
• Fonctionnement basse tension
• Commutation grande vitesse
• Basse consommation énergétique
• Capacité de courant élevée
• Fréquence de commutation élevée
• Faible charge l'entrée
• Fonctionnement haute température
• Faible résistance l'état passant
• Conforme RoHS


Spécifications du produit:
• Tension nominale : 20 V
• Courant de drain continu : 27 A
• Tension maximale de la source de drainage : -30 V
• Source de drain sur résistance : 0,0045 Ω
• Tension de seuil de grille : 2,5 V
• Température de fonctionnement maximale : 175 °C
• Type de montage : montage en surface
• Emballage/boîte : TO-252


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