FDMA8878 Module électronique de puissance MOSFET pour applications de commutation à courant élevé POWERTRENCH canal N 30 V 9,0 A 16
Number modèle:FDMA8878
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Détails du produit
FDMA8878 Module électronique de puissance MOSFET pour applications
de commutation courant élevé POWERTRENCH canal N 30 V 9,0 A 16 m
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhms 9 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.4W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 6 microFET (2x2) | |
Paquet/caisse |
Liste de produits :
ON Semiconductor FDMA8878 Électronique de puissance MOSFET
Principales caractéristiques:
- Faible RDS(on) de 0,05 Ohms
- Faible charge la porte
- Qg amélioré et zone d'opération sûre
- Capacité de courant de crête élevée
- Faible charge la porte
- Commutation rapide
- Conforme RoHS
- Qualifié AEC-Q101
Applications:
- Convertisseurs DC/DC
- Onduleurs DC/AC
- Chargeurs de batterie
- Alimentations pour serveurs/ordinateurs portables
- Applications automobiles
Spécifications techniques:
- Tension drain-source (VDS) : 600 V
- Tension porte-source (VGS) : ±20 V
- Courant de drain (ID): 58A
- RDS (activé) : 0,05 Ohms
- Dissipation de puissance maximale (PD) : 115 W
- Plage de température de fonctionnement : -55°C 150°C
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• Nous nous engageons fournir un service de transport rapide, pratique et sûr l'acheteur mondial.
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FDMA8878 Module électronique de puissance MOSFET pour applications de commutation à courant élevé POWERTRENCH canal N 30 V 9,0 A 16
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