NTMFS4C027NT1G Canal N 30 V 0,2 A (TDS) Électronique de puissance MOSFET Boîtier 5-DFN Canal N unique 30 V 52 A
Number modèle:NTMFS4C027NT1G
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Détails du produit
NTMFS4C027NT1G Canal N 30 V 0,2 A (TDS) Électronique de puissance MOSFET Boîtier 5-DFN Canal N unique 30 V 52 A
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,8 mOhms 18 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,1 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18,2 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2,51 W (Ta), 25,5 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquet/caisse |
Liste de produits :
Nom du produit : Électronique de puissance MOSFET NTMFS4C027NT1G
Fabricant : ON Semiconductor
Paquet: 5-DFN
VDS (V): 30
ID (A) : 0,027
RDS (activé) (Ω) : 0,08
Nombre de canaux : 1
VGS (V): 20
Puissance (W) : 0,3
Pd (W) : 0,45
Capacité d'entrée (Ciss) (pF): 860
Configuration : Simple
Tension de claquage drain-source (Vdss) : 30 V
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