IRF530NPBF MOSFET Électronique de puissance Applications de commutation MOSFET à canal N haute puissance
Number modèle:IRF530NPBF
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Détails du produit
Électronique de puissance MOSFET IRF530NPBF
Applications de commutation MOSFET canal N haute puissance
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhms 9 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 70W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB | |
Paquet/caisse |
Liste de produits :
Nom du produit : MOSFET IRF530NPBF
Type d'emballage : TO-220
Tension maximale de la source de vidange : 100 V
Tension maximale de la source de la porte : 20 V
Courant de drain continu : 16 A
Courant de drain pulsé : 100 A
Temps de montée/descente : 45nS
RDS (activé) : 0,8 ohm
Vgs(e): 2-4V
Résistance thermique : 2,7 °C/W
Plage de température de fonctionnement : -55 +175°C
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