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MSEFHEPouvoirÉlectroniqueMGSF2N02ELT1G SOT-23 Package 2,8 A Transistor MOSFET de mode d'amélioration de canal 20 VN
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhms 3,6 A, 4,5 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3,5 nC 4 V | |
Vg (Max) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF 5 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 1.25W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquet/caisse |
Ces MOSFET miniatures montage en surface faible RDS(on) assurent
une perte de puissance minimale et une économie d'énergie, ce qui rend ces appareils idéaux
pour une utilisation dans des circuits de gestion de l'alimentation sensibles l'espace.
Caractéristiques
• Le faible RDS(on) offre une efficacité supérieure et prolonge la durée de vie de la batterie
• Le boîtier de montage en surface SOT−23 miniature permet d'économiser de l'espace sur la carte
• IDSS spécifié température élevée
• Qualifié AEC Q101 et compatible PPAP − MVSF2N02EL
• Ces appareils sont sans Pb et sont conformes RoHS
Applications
• Convertisseurs CC-CC
• Gestion de l'alimentation dans les produits portables et alimentés par batterie, c'est--dire :
Ordinateurs, imprimantes, cartes PCMCIA, cellulaires et sans fil
Téléphones