Mosfet dans l'électronique de puissance Si2307CDS-T1-GE3 Commutation basse tension haute performance

Nom du produit : MOSFET Si2307CDS-T1-GE3

Description du produit : Le MOSFET Si2307CDS-T1-GE3 est un MOSFET de puissance haute performance conçu pour être utilisé dans une variété d'applications d'électronique de puissance.Il présente une faible résistance l'état passant, un temps de commutation rapide et une faible charge de grille.Sa capacité de transfert inverse ultra-faible et sa charge de grille améliorée minimisent les pertes de commutation et de conduction.

Principales caractéristiques:

• Faible résistance l'allumage
• Temps de commutation rapide
• Faible charge l'entrée
• Capacité de transfert inverse ultra-faible
• Charge de porte améliorée
• Faibles pertes de conduction
• Dissipation de puissance élevée
• Fonctionnement haute température
• Faible capacité d'entrée
• Fonctionnement haute fréquence

Applications:

• Convertisseurs CC-CC
• Circuits d'alimentation
• Circuits de commande de moteur
• Régulateurs découpage
• Contrôle d'éclairage
• Chargeurs de batterie
• Amplificateurs de puissance
• Systèmes d'alimentation solaire
• Applications automobiles
• Applications industrielles

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