Mosfet IRF8788TRPBF dans la haute tension et le courant nominal de l'électronique de puissance
Number modèle:IRF8788TRPBF
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Électronique de puissance MOSFET IRF8788TRPBF
Description du produit : L'IRF8788TRPBF est un dispositif électronique de puissance MOSFET avancé.Il est conçu pour fournir des performances supérieures dans les applications nécessitant une commutation de courant et de tension élevés.Il a une faible résistance l'état passant et une vitesse de commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation courant élevé.
Caractéristiques:
• Faible résistance l'état passant
• Vitesse de commutation rapide
• Capacité de courant élevé
• Protection ESD (±20kV HBM)
• Réduction EMI
• Protection d'arrêt thermique
• Sans plomb, conforme RoHS
Notes maximales absolues :
• Tension de source de drain (VDS) : 100 V
• Tension de source de grille (VGS) : ± 20 V
• Courant de drain (ID) : 10 A
• Dissipation de puissance (PD) : 0,5 W
• Plage de température de fonctionnement (TJ) : -55
150 °C
• Plage de température de stockage (Tstg) : -55
150 °C
Paquet : D2PAK
Fabricant : Infineon Technologies
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2,8 mOhms 24 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,35 V 100 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC 4,5 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5720 pF 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SO | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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