IRL60HS118 MOSFET Mosfet dans l'électronique de puissance haute tension haute intensité faible résistance à l'état passant
Number modèle:IRL60HS118
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IRL60HS118 MOSFET Liste des produits électroniques de puissance
Nom du produit : Électronique de puissance MOSFET IRL60HS118
Description : Ce MOSFET est conçu pour être utilisé dans des applications haute fréquence, telles que les alimentations découpage, les entraînements de moteur et les amplificateurs de puissance.Il offre d'excellentes performances de commutation, avec une faible résistance l'état passant, une faible charge de grille et une vitesse de commutation rapide.
Caractéristiques et avantages:
• Faible résistance l'état passant : Fournit une faible perte
de conduction et une efficacité améliorée
• Faible charge de grille : permet un temps de commutation
rapide
• Fonctionnement haute fréquence : idéal pour les applications
de commutation haute fréquence
• Conformité RoHS : Conforme aux réglementations
environnementales RoHS
Caractéristiques:
• Tension drain-source (Vdss) : 400 V
• Courant de drain continu (Id) : 15 A
• Tension porte-source (Vgs) : ± 20 V
• Dissipation de puissance (Pd) : 135 W
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C
+175 °C
• Style de boîtier de transistor : TO-220AB
• Type de canal : canal N.
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhms 11 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,3 V 10 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC 4,5 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 11.5W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-PQFN (2x2) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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