Transistor MOSFET d'IRFB3004PBF dans la dissipation à basse température de rendement élevé de l'électronique de puissance
Number modèle:IRFB3004PBF
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFB3004PBF
Description de produit :
L'IRFB3004PBF est une électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal conçue pour l'usage dans les alimentations d'énergie haute fréquence de commutateur-mode, la commutation d'usage universel et les applications d'amplificateur. Ce transistor MOSFET a une estimation de tension de drain-source de 100V, un courant de drain de 30A, et une dissipation de puissance maximum de 4.5W.
Caractéristiques :
• Transistor MOSFET de N-canal
• estimation de tension de la Drain-source 100V
• courant du drain 30A
• dissipation de puissance 4.5W maximum
• Basse Sur-résistance
• Commutation grande vitesse
• RoHS conforme
Applications :
• Alimentations d'énergie haute fréquence de Commutateur-mode
• Commutation d'usage universel
• Applications d'amplificateur
Statut de produit | Actif | |
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1.75mOhm @ 195A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 240 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 9200 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 380W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220AB | |
Paquet/cas | ||
Nombre bas de produit |
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