Transistor MOSFET d'IRF2804STRL7PP dans la fiabilité élevée actuelle à haute tension de l'électronique de puissance

Number modèle:IRF2804STRL7PP
Point d'origine:Multi-origine
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Détails du produit

Le transistor MOSFET de puissance d'IRF2804STRL7PP d'Infineon est un transistor MOSFET haute tension et très réduit de charge de porte capable de conduire les charges forte intensité. Il est conçu pour des applications telles que le contrôle de moteur, les alimentations d'énergie, et les inverseurs solaires.

 

Caractéristiques :


- Charge très réduite de porte (Qg)
- Basse résistance de sur-état de drain-source (le RDS (dessus))
- Capacité élevée d'énergie d'avalanche
- Capacité forte intensité
- Capacité haute tension : 100V
- Paquet de TO-220AB

 

Caractéristiques :


- Numéro de la pièce : IRF2804STRL7PP
- Tension de Drain-source : 100V
- Vidangez le courant (identification) : 35A
- Tension de Porte-source (VGS) : ±20V
- Dissipation de puissance maximum (palladium) : 106W
- Résistance maximum de Sur-état de Drain-source (le RDS (dessus)) : 0.068Ω
- Tension maximum de seuil de porte (VGS (Th)) : 2.0V
- Température de fonctionnement maximum : 150°C
- Montage du type : Par le trou

 

 

Statut de produit
Actif
Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
1.6mOhm @ 160A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
260 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
6930 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
330W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
D2PAK (7-Lead)
Paquet/cas
Nombre bas de produit

 

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