Transistor MOSFET d'IRFIZ44NPBF dans tension à hautes températures de haute performance de l'électronique de puissance la basse

Number modèle:IRFIZ44NPBF
Point d'origine:Multi-origine
Quantité d'ordre minimum:1
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Capacité d'approvisionnement:999999
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Shenzhen China
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Liste de produit :

 

IRFIZ44NPBF - l'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal

 

•Idéal pour des applications des véhicules moteur, industrielle et d'électronique grand public
•VDS (v) : 30V
•Le RDS (dessus) (Ω) : 0.071Ω
•Qg (typique) : 11.8nC
•Qgs (typique) : 2.1nC
•Qgd (typique) : 10.3nC
•Palladium (maximum) : 16.2W
•Paquet/cas : TO-220-3L
•Montage du type : Par le trou

 

 

Statut de produit
Actif
Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
24mOhm @ 17A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
65 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
1300 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
45W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
TO-220AB Plein-PAK
Paquet/cas
Nombre bas de produit

 

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