Transistor MOSFET d'IRF6613TRPBF dans Sur-résistance à haute fréquence de l'électronique de puissance la basse

L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF6613TRPBF

Description de produit :

L'IRF6613TRPBF est un appareil électronique de puissance de transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal, conçu pour des applications de changement haute fréquence. Ce dispositif offre la basse sur-résistance et la capacité de chargement forte intensité, lui faisant un choix idéal pour la gestion de puissance et la conversion des circuits haute fréquence.

Caractéristiques :

• Basse Sur-résistance
• Capacité de chargement forte intensité
• Commutation haute fréquence
• RoHS conforme

Caractéristiques :

• Polarité : N-canal
• Tension : 30V
• Vidangez la tension de source (Vdss) : 30V
• Tension de seuil de porte (Vgs) : -4V
• Vidangez le courant (identification) : -6A
• Courant continu de drain (identification) : -6A
• Dissipation de puissance (palladium) : 130W
• Style de caisse de transistor : TO-220AB
• No. de goupilles : 3
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C +150°C

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