IRFB7730PBF Power Mosfet haute tension et capacité de courant élevé
Number modèle:IRFB7730PBF
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Détails du produit
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Détails du produit
Électronique de puissance MOSFET IRFB7730PBF :
Caractéristiques:
- MOSFET canal N 100 V
-RDS typique (activé) = 0,052 Ohm
-Faible charge de grille (Qg)
-Bas Crss
-Qualifié AEC-Q101
Applications:
-Commutation d'alimentation
-Protection de la batterie
-Convertisseurs DC-DC
-Commutation de charge courant élevé
-Commutation de charge latérale élevée
-Commutation usage général
Paramètres:
-Tension drain-source : 100 V
-Courant de drain continu : 56 A
-Dissipation de puissance : 0,8 W
-Tension porte-source : ±20 V
-RDS (allumé) : 0,052 Ohm
-Qg Charge totale de la porte : 28 nC
-Transconductance : 16,2 S
-Capacité d'entrée : 590 pF
-Paquet/boîte : TO-220AB
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2,6 mOhms 100 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3,7 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 407 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13660 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 375W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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