IRFB4019PBF Power Mosfet Commutateurs d'alimentation fiables hautes performances
Number modèle:IRFB4019PBF
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Électronique de puissance MOSFET IRFB4019PBF
Description du produit:
L'IRFB4019PBF est un dispositif électronique de puissance MOSFET hautes performances base de silicium d'International Rectifier.Il s'agit d'un transistor bipolaire grille isolée commandé en tension (IGBT) conçu pour fournir des performances supérieures dans l'alimentation et d'autres applications de conversion de puissance.Cet appareil est disponible dans un boîtier TO-220AC avec un tampon thermique étendu.
Caractéristiques:
• Faible résistance l'état passant (RDS(on))
• Faible charge de grille (Qg)
• Faible capacité grille-source (Ciss)
• Température maximale de jonction (Tjmax) de 175 °C
• Tension drain-source maximale (VDS) de 600 V
• Courant de drain maximal (ID) de 60 A
• Plage de température de fonctionnement de -55 °C 175 °C
• Sans plomb, conforme RoHS
Application:
L'IRFB4019PBF convient une large gamme d'applications telles que les alimentations, les onduleurs solaires, les contrôleurs de moteur et d'autres applications de conversion de puissance.
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhms 10 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4,9 V 50 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 80W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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