IRFB7546PBF Puissance Mosfet 100V 50A N-Channel Low RDS(On) Trou traversant

Number modèle:IRFB7546PBF
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Liste de produits :


Électronique de puissance MOSFET IRFB7546PBF

• Vds : 75 V
• Identifiant : 57A
• Rds (allumé) : 0,100 ohm
• Colis : TO-220AB
• Type de montage : trou traversant
• Configuration : unique
• Type FET : canal N MOSFET
• Polarité du transistor : canal N
• Tension maximale de la source de drain : 75 V
• Tension maximale de la source de grille : 20 V
• Courant de décharge maximal : 57 A
• Résistance maximale de la source de drain : 0,100 ohm
• Dissipation de puissance : 115 W
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C 175 °C
• Marque : IRFB7546PBF


État du produit
Actif
Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7,3 mOhms 45 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,7 V 100 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
99W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-220AB
Paquet/caisse
Numéro de produit de base

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