Transistor à effet de champ MOSFET à canal N de puissance commune SPD08P06PGBTMA1 8A 60V
Number modèle:SPD08P06PGBTMA1
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Détails du produit
Cette liste est pour une électronique de puissance MOSFET SPD08P06PGBTMA1.Ce MOSFET est un transistor effet de champ de puissance canal N de niveau logique et possède les paramètres suivants :
Type : Électronique de puissance MOSFET
Numéro de pièce : SPD08P06PGBTMA1
Tension : 8 V
Courant : 60 A
Chute de tension : 0,20 V
Type d'emballage : TO-220
RDS(ON) : 0,037 Ohms
Pd : 6,75 W
Configuration : Simple
Température de fonctionnement : -55°C 175°C
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6.2V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhms 10 A, 6,2 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 42W (TC) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO252-3 | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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