Rendement élevé et fiabilité du module BSC0901NSATMA1Common Power Mosfet
Number modèle:BSC0901NSATMA1
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Électronique de puissance MOSFET BSC0901NSATMA1
Description du produit:
Le BSC0901NSATMA1 est un dispositif électronique de puissance MOSFET hautes performances conçu pour fournir des performances de commutation et une alimentation électrique supérieures.Construit avec la technologie silicium sur isolant (SOI), il est idéal pour les applications telles que la commande de moteur, l'alimentation numérique, les alimentations découpage et les onduleurs cellules solaires.Il offre une faible charge de grille, une faible résistance l'état passant, un fonctionnement haute fréquence et une excellente gestion thermique.
Caractéristiques du produit:
• Fonctionnement haute fréquence
• Faible charge l'entrée
• Faible résistance l'état passant
• Excellente gestion thermique
• Technologie silicium sur isolant (SOI)
• Tension drain-source maximale de 600 V
• Courant de crête maximal de 40 A
• Dissipation de puissance maximale de 500 W
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1,9 mOhms 30 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,2 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2,5 W (Ta), 69 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-5 | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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