Transistor Mosfet NVMFS5C646NLWFAFT1G FET haute performance ultra basse tension
Number modèle:NVMFS5C646NLWFAFT1G
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Électronique de puissance MOSFET NVMFS5C646NLWFAFT1G
Description du produit:
Le NVMFS5C646NLWFAFT1G est un dispositif électronique de puissance MOSFET hautes performances conçu pour offrir une efficacité énergétique et une fiabilité supérieures.Ce MOSFET canal N convient une variété d'applications, y compris la conversion de puissance, la commande de moteur et le conditionnement de signal.Il est construit avec une grille haute tension intégrée et une diode de corps intégrée, permettant son utilisation dans des applications haute puissance.Avec une excellente résistance l'état passant et une faible charge de grille, cet appareil offre une efficacité énergétique et une fiabilité supérieures dans une grande variété de systèmes.
Caractéristiques:
-Électronique de puissance MOSFET haute performance
-Porte haute tension intégrée
-Diode de corps intégrée
-Excellente résistance l'allumage
-Faible charge de porte
-Grande variété de systèmes
Applications:
-Conversion de puissance
-Contrôle moteur
-Conditionnement de signal
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,7 mOhms 50 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33,7 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2164 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 3,7 W (Ta), 79 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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