Transistor Mosfet NVMFS5C646NLAFT1G faible sur les biens de rendement élevé de résistance
Number modèle:NVMFS5C646NLAFT1G
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Électronique de puissance MOSFET NVMFS5C646NLAFT1G
Description du produit:
Le MOSFET Power Electronics NVMFS5C646NLAFT1G est un module électronique de puissance MOSFET canal N avec une tension de fonctionnement de 20 V et une tension drain-source maximale de 30 V.Ce module présente une faible tension de seuil de grille et une faible capacité d'entrée, ce qui en fait un choix idéal pour les applications d'électronique de puissance.Le module est équipé d'une diode source-drain intégrée faible résistance et peut gérer jusqu' un courant nominal continu de 5A.
Caractéristiques du produit:
• Module d'électronique de puissance MOSFET canal N
• Tension de fonctionnement : 20 V
• Tension drain-source maximale : 30 V
• Tension de seuil de grille basse
• Faible capacité d'entrée
• Diode source-drain intégrée faible résistance
• Courant nominal continu : 5 A
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,7 mOhms 50 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33,7 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2164 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 3,7 W (Ta), 79 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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