Rendement élevé de transistor de NVMFS5113PLT1G Mosfet bas sur la résistance
Number modèle:NVMFS5113PLT1G
Point d'origine:Multi-origine
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Électronique de puissance MOSFET NVMFS5113PLT1G
Description : NVMFS5113PLT1G est un appareil d'électronique de puissance MOSFET.Il s'agit d'un transistor de puissance, un type de transistor effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) qui peut être utilisé pour contrôler le flux de courant électrique dans les circuits.
Caractéristiques:
• Robuste et fiable
• Faible résistance et faible charge de grille
• Faible capacité de sortie
• Vitesses de commutation rapides
• Faible tension de seuil grille-source
• Faible capacité grille-drain
• Dissipation de puissance élevée
• Capacité de gestion de courant élevée
• Fonctionnement haute température
Applications:
• Contrôle moteur
• Gestion de l'alimentation
• Alimentation CC
• Circuits onduleurs
• Circuits du chargeur de batterie
• Alimentations découpage
• Régulation de tension
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhms 17 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,5 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 3,8 W (Ta), 150 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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