Rendement et fiabilité élevés de module de transistor de FDD86102 Mosfet
Number modèle:FDD86102
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Électronique de puissance MOSFET FDD86102
Le FDD86102 est un dispositif électronique de puissance MOSFET conçu pour fournir une conversion de puissance haut rendement.Il présente une faible résistance l'état passant et une faible charge de grille pour une alimentation électrique supérieure.Le dispositif est construit avec un boîtier profil bas et thermiquement amélioré et convient une utilisation dans une variété d'applications.
Caractéristiques:
• Faible résistance l'état passant - RDS(on) : 2,2 mOhm (max)
• Charge de grille faible - Qg : 11,5 nC (max)
• Ensemble profil bas et thermiquement amélioré
• Sans halogène et conforme RoHS
• Convient pour une conversion de puissance haut rendement
• Fonctionnement haute tension - VDS : 100 V (max)
• Fonctionnement courant élevé - ID : 30 A (max)
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhms 8 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1035 pF 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 3,1 W (Ta), 62 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252AA | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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