NTTFS5116PLTAG Transistor Mosfet Haute Performance Et Fiabilité
Number modèle:NTTFS5116PLTAG
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Électronique de puissance MOSFET NTFFS5116PLTAG
L'électronique de puissance MOSFET NTFFS5116PLTAG est un dispositif semi-conducteur de puissance haute performance conçu pour être utilisé dans une variété d'applications.Il présente une faible résistance l'état passant, une vitesse de commutation élevée et de bonnes caractéristiques de gestion thermique.Cet appareil convient une utilisation dans une variété de topologies de puissance, y compris les convertisseurs abaisseurs, les convertisseurs élévateurs, les convertisseurs en demi-pont et les convertisseurs en pont complet.
Caractéristiques:
• Faible résistance l'état passant :
RDS(On) = 0,091 ohms
• Vitesse de commutation élevée : tF/tR = 6,5/6,5 nsec
• Capacité de courant de crête élevée : IDSM = 11,9 A
• Faible charge de grille : Qg = 10,5 nC
• Faible résistance thermique : RθJC = 0,71°C/W
• Boîtier standard TO-220
• Sans plomb, conforme RoHS
État du produit | Actif | |
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhms 6 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF 30 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 3,2 W (Ta), 40 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
Paquet/caisse | ||
Numéro de produit de base |
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